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Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro

Certificazione
Porcellana XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD Certificazioni
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Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro

Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro
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Grande immagine :  Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro

Dettagli:
Luogo di origine: Xi'an Shaanxi Cina
Marca: XINLAND
Certificazione: CE
Numero di modello: XL-LD8505
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 100pcs
Imballaggi particolari: 1pcs/polybag, 10pcs/inner scatola, 100pcs/ctn
Tempi di consegna: 7 giorni
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1000 dozzine/dozzine al giorno

Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro

descrizione
Applicazione:: Telemetro del laser, microscopio confocale Luogo di origine: Xi'an Shaanxi Cina
Marca commerciale:: XINLAND Tipo:: Diodo laser
Tipo del pacchetto:: Supporto di superficie Tensione di andata di massimo: -
Tensione inversa massima: -: - Max. Forward Current:: -
Evidenziare:

Diodo laser del telemetro 850nm

,

Diodo laser del microscopio 850nm

,

micro diodo laser 850nm

XL-LD8505 Mini Laser Diode Laser Rangefinder, microscopio confocale

 

Caratteristiche

- Corrente bassa di funzionamento

- Alta efficienza

- Alta affidabilità

- Pacchetto di alta precisione

Uscita di luce infrarossa: λp =850nm

- Tipo del pacchetto: TO-18 (Ø5.6mm)

- Diodo incorporato della foto per il controllo del diodo laser

 

Valutazione massima assoluta al TC =25℃

Oggetti Simbolo Valutazione Unità
Potenza di uscita ottico PO 7 Mw
Tensione inversa di LD VLDR 2 V
Tensione inversa del palladio VPDR 30 V
Corrente di andata del palladio IPDF 10 mA
Temperatura di operazione CIMA -10 ~ +60
Temperatura di stoccaggio Tstg -40 ~ +85

 

Caratteristiche elettriche ed ottiche a TC =25℃

Oggetti Simbolo Min Tipo. Massimo Unità Circostanza
Lunghezza d'onda di Lasing λp 845 850 855 nanometro PO =5mW
Corrente della soglia Ith - 10 20 mA -
Corrente di funzionamento Iop - 20 30 mA PO =5mW
Efficienza del pendio η - 0,7 0,9 mW/mA PO =2-5mW
Corrente del monitor Im 0,2 0,4 0,5 mA PO =5MW, VPDR =5V
Tensione di funzionamento Vop - 2,2 2,5 V PO =5mW
Angolo parallelo di divergenza ‖ del θ 7 9 12 grado
Angolo perpendicolare di divergenza θ⊥ 25 32 40 grado
Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro 0Angolo di deviazione parallelo di FFP △‖ del θ - - ±2 grado
Angolo di deviazione perpendicolare di FFP △θ⊥ - - ±3 grado
Accuratezza del punto dell'emissione △X, △Y, △Z - - ±60 µm  

 

 

Dati tecnici del diodo laser LT-LD8505

 

Dimensioni interne del profilo & di Ciruit (unità: millimetro)

No. Componente Materiale Rivestimento
Chip del diodo laser AlGaInP/GaAlAs -
Gambo Fe Au placcato
Cappuccio Lega 45 Ni+Pd ha placcato
Vetro di finestra Vetro borosilicato Tipo. n=1.516 (λp = 830nm)
Perni del cavo Kovar Au placcato

 

Valutazioni massime assolute (Tc=25℃ (nota 1))

Parametro Simbolo Valore Unità
Output di forza motrice ottico (CW) (nota 2) Po 700 Mw
Output di forza motrice ottico (impulso) (nota 3) Pp 2.000 Mw
Tensione inversa Vrl 2 V
Temperatura di funzionamento (temperatura di caso) Cima (c) -10 ~ +70
Temperatura di stoccaggio Tstg -40 ~ +85
Temperatura di saldatura (nota 4) Tsld 350

(Nota 1) TC: Temperatura di caso

(Nota 2) CW: Operazione di Wave continuo

(Impulso della nota 3): Operazione di impulso (larghezza di impulso: dovere 1μs: 10%)

(Temperatura di punta di saldatura del saldatoio di mezzi di temperatura della nota 4) (il potere 20W) mentre saldando.

 

La posizione di saldatura è 1.6mm oltre al margine inferiore del caso. (Tempo di immersione: ≦3s)

Parametro Simbolo Circostanze Minuto. Tipo. Massimo. Unità
Corrente della soglia Ith - - 250 T.B.D. mA
Corrente di funzionamento Iop

 

 

 

 

Po=700mW

- 870 T.B.D. mA
Tensione di funzionamento Vop   - 2 T.B.D. V
Lunghezza d'onda λp   840 850 860 nanometro
angolo di intensità 1/e2 (parallelo) (nota 2,3,4) θ∥ (1/e2)   T.B.D. 13,5 T.B.D. °
angolo di intensità 1/e2 (perpendicolare) (nota 2,3) θ⊥ (1/e2)   T.B.D. 40 T.B.D. °
Angolo di cattivo allineamento (parallelo) (nota 3) Δθ∥ (1/e2)   -5 - 5 °
Angolo di cattivo allineamento (perpendicolare) (nota 3) Δθ⊥ (1/e2)   -5 - 5 °
Efficienza differenziale ηd 600mW I (700mW) - io (100mW) 0,7 1,0 1,3 mW/mA
Attorcigli (nota 5) K-LI P1=140mW, P2=420mW P3=700mW -10 - 10

 

Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro 1

 

Diodo laser confocale del microscopio 850nm del telemetro 2

Dettagli di contatto
XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD

Persona di contatto: Mrs. Nica Chow

Telefono: +86-13991354371

Fax: 86-29-81323155

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