notizie sull'azienda Stato di sviluppo e previsione di industria globale del fotodiodo della valanga del silicio (si-APDs)

I fotodiodi della valanga del silicio si riferiscono agli elementi fotosensibili utilizzati nella comunicazione di laser. Dopo che una polarizzazione inversa si applica alla giunzione di PN di un fotodiodo fatto di silicio, la luce incidente sarà assorbita dalla giunzione di PN per formare un photocurrent. La lunghezza d'onda di risposta delle coperture 260-1100nm di si-APD. APD ha un meccanismo interno di guadagno. Rispetto ai tubi comuni di PIN, può fornire i dieci alle centinaia di periodi il segnale nell'ambito di polarizzazione inversa ed ha la velocità più veloce di risposta e più alto rapporto segnale-rumore mentre mantiene la corrente al buio bassa.

Stato di sviluppo e previsione di industria dei fotodiodi della valanga del silicio (si-APDs)

Durante «il periodo di tredicesimo piano quinquennale» (2017-2021), l'importanza del mercato globale del fotodiodo della valanga del silicio (si-APDs) nel 2017 era USD 66,4 milioni. Colpito dall'epidemia durante i due anni scorsi, secondo l'ultima ricerca da QYR, l'importanza del mercato globale del fotodiodo della valanga del silicio (si-APDs) nel 2021 sarà US$77.66 milione, di cui il tasso di crescita composto quinquennale dal 2017 al 2021 sarà 3,99%. Durante «il periodo di quattordicesimo piano quinquennale» (2021-2025), è stimato che la scala globale raggiunga 94,17 milione dollari americani nel 2025 ed il tasso di crescita composto durante il 2021-2025 sarà 4,94%.

Un fotodiodo della valanga è un rivelatore fotoelettrico a semiconduttore (fotodiodo) che funziona alle tensioni inverse relativamente alte (tipicamente dieci o persino centinaia di volt), a volte soltanto leggermente sotto la soglia. In questa gamma, i trasportatori (elettroni e fori) eccitati dall'assorbimento dei fotoni sono accelerati dal forte campo elettrico interno e poi i trasportatori secondari sono generati, che accade spesso in tubi di fotomoltiplicatore. Il processo della valanga si presenta soltanto ad una distanza di alcuni micron e il photocurrent può essere amplificato molte volte. Di conseguenza, i fotodiodi della valanga possono essere utilizzati come rivelatori molto sensibili, richiedendo l'amplificazione del segnale meno elettronico e quindi il rumore meno elettronico. Tuttavia, il processo stesso della valanga ha il rumore di quantum e rumore dell'amplificatore, che nega i vantaggi suddetti. Il rumore additivo può essere descritto quantitativamente dalla figura di rumore additiva la F, un fattore che caratterizza l'aumento nel potere di rumore elettronico confrontato ad un rivelatore fotoelettrico ideale.

a diodi Zener basati a silicio sono sensibili nella lunghezza d'onda di 450-1000 il nanometro (a volte fino a 1100 nanometro), con il più alto responsivity nell'ordine di 600-800 il nanometro, cioè lunghezze d'onda leggermente più piccole che il si appunta i diodi in questa lunghezza d'onda. Il fattore di moltiplicazione (anche conosciuto come guadagno) del si APDs varia fra 50 e 1000, secondo la progettazione del dispositivo e la tensione inversa applicata.

La ricerca sulla localizzazione e sulla fabbricazione in serie dei dispositivi di si-APD in Cina ha iniziato relativamente recente. Attualmente, i dispositivi domestici di si-APD ancora ritardano dietro giganti stranieri. L'area ritardante principale è la mancanza di applicazioni che conducono alla fabbricazione in serie incompleta dei prodotti.

Con lo sviluppo rapido delle applicazioni come azionamento astuto, la casa astuta e la rilevazione di rilevazione della alto-sensibilità, della basso luce e del unico fotone avvertiranno la crescita esplosiva. La tecnologia del dispositivo di si-APD pricipalmente ha due direzioni dello sviluppo, uno è la miniaturizzazione e l'integrazione dei dispositivi. D'altra parte, la prestazione dei dispositivi di si-APD più ulteriormente è migliorata, quale il miglioramento del responsivity di rilevazione in bande ultraviolette, infrarosse e vicine all'infrarosso. Con lo sviluppo continuo della tecnologia di si-APD e la maturità della tecnologia di fabbricazione in serie di si-APD, i dispositivi di si-APD con il prezzo basso e la prestazione superiore possono applicarsi sempre più ai campi.

Secondo l'indagine, l'importanza del mercato globale dei fotodiodi della valanga del silicio (si-APDs) è nel 2021 approssimativamente USD 77,66 milioni e si pensa che raggiunga USD 116,99 milioni nel 2028, con un tasso di crescita annuale composto (CAGR) di 6,45 per cento per il periodo 2022-2028.

Nel 2021, la Cina rappresenterà 5,06% della quota di mercato globale. È stimato che il tasso di crescita composto del mercato cinese sia 9,75% nei prossimi 6 anni e la scala raggiungerà 7,34 milione dollari americani nel 2028. La posizione importante del mercato della regione Asia-Pacifico diventerà più prominente nei prossimi anni.