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Dettagli:
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Applicazione:: | Telemetro del laser, microscopio confocale | Luogo di origine: | Xi'an Shaanxi Cina |
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Marca commerciale:: | XINLAND | Tipo:: | Diodo laser |
Tipo del pacchetto:: | Supporto di superficie | Tensione di andata di massimo: | - |
Tensione inversa massima: -: | - | Max. Forward Current:: | - |
Evidenziare: | Diodo laser del telemetro 850nm,Diodo laser del microscopio 850nm,micro diodo laser 850nm |
XL-LD8505 Mini Laser Diode Laser Rangefinder, microscopio confocale
●Caratteristiche
- Corrente bassa di funzionamento
- Alta efficienza
- Alta affidabilità
- Pacchetto di alta precisione
- Uscita di luce infrarossa: λp =850nm
- Tipo del pacchetto: TO-18 (Ø5.6mm)
- Diodo incorporato della foto per il controllo del diodo laser
●Valutazione massima assoluta al TC =25℃
Oggetti | Simbolo | Valutazione | Unità |
Potenza di uscita ottico | PO | 7 | Mw |
Tensione inversa di LD | VLDR | 2 | V |
Tensione inversa del palladio | VPDR | 30 | V |
Corrente di andata del palladio | IPDF | 10 | mA |
Temperatura di operazione | CIMA | -10 ~ +60 | ℃ |
Temperatura di stoccaggio | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
●Caratteristiche elettriche ed ottiche a TC =25℃
Oggetti | Simbolo | Min | Tipo. | Massimo | Unità | Circostanza |
Lunghezza d'onda di Lasing | λp | 845 | 850 | 855 | nanometro | PO =5mW |
Corrente della soglia | Ith | - | 10 | 20 | mA | - |
Corrente di funzionamento | Iop | - | 20 | 30 | mA | PO =5mW |
Efficienza del pendio | η | - | 0,7 | 0,9 | mW/mA | PO =2-5mW |
Corrente del monitor | Im | 0,2 | 0,4 | 0,5 | mA | PO =5MW, VPDR =5V |
Tensione di funzionamento | Vop | - | 2,2 | 2,5 | V | PO =5mW |
Angolo parallelo di divergenza | ‖ del θ | 7 | 9 | 12 | grado | |
Angolo perpendicolare di divergenza | θ⊥ | 25 | 32 | 40 | grado | |
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△‖ del θ | - | - | ±2 | grado | |
Angolo di deviazione perpendicolare di FFP | △θ⊥ | - | - | ±3 | grado | |
Accuratezza del punto dell'emissione | △X, △Y, △Z | - | - | ±60 | µm |
Dati tecnici del diodo laser LT-LD8505
●Dimensioni interne del profilo & di Ciruit (unità: millimetro)
No. | Componente | Materiale | Rivestimento |
① | Chip del diodo laser | AlGaInP/GaAlAs | - |
② | Gambo | Fe | Au placcato |
③ | Cappuccio | Lega 45 | Ni+Pd ha placcato |
④ | Vetro di finestra | Vetro borosilicato | Tipo. n=1.516 (λp = 830nm) |
⑤ | Perni del cavo | Kovar | Au placcato |
Valutazioni massime assolute (Tc=25℃ (nota 1))
Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
Output di forza motrice ottico (CW) (nota 2) | Po | 700 | Mw |
Output di forza motrice ottico (impulso) (nota 3) | Pp | 2.000 | Mw |
Tensione inversa | Vrl | 2 | V |
Temperatura di funzionamento (temperatura di caso) | Cima (c) | -10 ~ +70 | ℃ |
Temperatura di stoccaggio | Tstg | -40 ~ +85 | ℃ |
Temperatura di saldatura (nota 4) | Tsld | 350 | ℃ |
(Nota 1) TC: Temperatura di caso
(Nota 2) CW: Operazione di Wave continuo
(Impulso della nota 3): Operazione di impulso (larghezza di impulso: dovere 1μs: 10%)
(Temperatura di punta di saldatura del saldatoio di mezzi di temperatura della nota 4) (il potere 20W) mentre saldando.
La posizione di saldatura è 1.6mm oltre al margine inferiore del caso. (Tempo di immersione: ≦3s)
Parametro | Simbolo | Circostanze | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
Corrente della soglia | Ith | - | - | 250 | T.B.D. | mA |
Corrente di funzionamento | Iop |
Po=700mW |
- | 870 | T.B.D. | mA |
Tensione di funzionamento | Vop | - | 2 | T.B.D. | V | |
Lunghezza d'onda | λp | 840 | 850 | 860 | nanometro | |
angolo di intensità 1/e2 (parallelo) (nota 2,3,4) | θ∥ (1/e2) | T.B.D. | 13,5 | T.B.D. | ° | |
angolo di intensità 1/e2 (perpendicolare) (nota 2,3) | θ⊥ (1/e2) | T.B.D. | 40 | T.B.D. | ° | |
Angolo di cattivo allineamento (parallelo) (nota 3) | Δθ∥ (1/e2) | -5 | - | 5 | ° | |
Angolo di cattivo allineamento (perpendicolare) (nota 3) | Δθ⊥ (1/e2) | -5 | - | 5 | ° | |
Efficienza differenziale | ηd | 600mW I (700mW) - io (100mW) | 0,7 | 1,0 | 1,3 | mW/mA |
Attorcigli (nota 5) | K-LI | P1=140mW, P2=420mW P3=700mW | -10 | - | 10 |
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Persona di contatto: Mrs. Nica Chow
Telefono: +86-13991354371
Fax: 86-29-81323155