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| Luogo di origine: | Xi'an Shaanxi Cina |
| Marca: | XINLAND |
| Certificazione: | CE |
| Numero di modello: | XL-650LD100 |
■Specifiche
Lunghezza d'onda: 650nm
Uscita leggera: 5mW CW
Tipo del pacchetto: TO-18 (Φ5.6mm)
Potere ad alto rendimento: 230mW (impulso
Alta efficienza: 0.95W/A (tipo.)
Luce visibile: 658nm (tipo.)
Allungamento basso (⊥ del θ/θ //): 1,8 (tipo.)
Distanza astigmatica bassa: 1µm (tipo.)
■Valutazioni massime di un bsolute (Tc=25℃)
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Parametro |
Simboli |
Valutazioni |
Unità |
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Uscita ottica |
Po (CW) |
5 |
Mw |
|
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Inverso Tensione |
Laser |
Vr |
2 |
V |
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PALLADIO DI PIN |
Vr (PIN) |
30 |
V |
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Temperatura di funzionamento |
Cima |
-10 ~ +40 |
℃ |
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Temperatura di stoccaggio |
Tstg |
-40 ~ +80 |
℃ |
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XL-650LD100 è un AlGaInP ad alta potenza e alto-efficiente
laser a semiconduttore che fornisce uno stabile, singolo
oscillazione di modo trasversale con la lunghezza d'onda dell'emissione di
658nm ed uscita di luce standard di impulso di 230mW.
XL-650LD100 ha una reale-indice-guida d'onda che migliora
efficienza del pendio (riduzione della corrente di funzionamento) e
distanza astigmatica.
XL-650LD100 ha una finestra-specchio-sfaccettatura che migliora
il massimo potenza di uscita. Quello conduce ad altamente affidabile e
operazione ad alta potenza a 75 °C.
■Caratteristiche elettriche ed ottiche (Tc=25℃)
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Parametro |
Simboli |
Circostanze |
Min |
Tipo |
Massimo |
Unità |
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|
Corrente della soglia |
Ith |
- |
- |
12 |
16 |
mA |
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|
Corrente di funzionamento |
Iop |
Po=5mW |
- |
18 |
22 |
mA |
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|
Tensione di funzionamento |
Vop |
Po=5mW |
- |
2,3 |
2,6 |
Volt |
|
|
Efficienza del pendio |
η |
- |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
mW/mA |
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Corrente del monitor |
Im |
Po=5mW |
0,09 |
0,16 |
0,3 |
mA |
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|
Divergenza del fascio (FWHM) |
Parallelo |
‖ del θ |
Po=5mW |
6 |
7 |
9 |
grado |
|
Perpendicolare |
θ⊥ |
Po=5mW |
25 |
28 |
30 |
grado |
|
|
Angolo di deviazione parallelo |
△‖ del θ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
grado |
|
|
Angolo di deviazione perpendicolare |
△θ⊥ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
grado |
|
|
Accuratezza del punto dell'emissione |
△X, △Y, △Z |
Po=5mW |
-80 |
- |
80 |
um |
|
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Lunghezza d'onda di Lasing |
λp |
Po=5mW |
645 |
655 |
665 |
nanometro |
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